中国IGBT发展的这20年，诞生了许多优秀的企业。除了比亚迪、斯达半导和中车时代电气，还有拥有国内第一条全内资8英寸专注功率器件晶圆生产线的华润微；全球首家提供场截止型绝缘栅双极型晶体管（FS IGBT）量产技术的8英寸集成电路芯片的华虹半导体以及在全球IGBT分立器件市场份额排名第十的士兰微。尽管中国的IGBT市场份额和业务量有所增加，但与海外龙头英飞凌在IGBT分立器件和模组市占率相比，仍有一些差距。
中国轨道交通IGBT（绝缘栅双极晶体管）的发展进程绕不开一个关键灵魂人物——中国工程院院士、原中车株洲电力机车研究所有限公司（中车株洲）董事长丁荣军。驱车沿株洲市境内湘江右岸一路行驶，不久便会看到“田心工业区”的醒目标志牌，工业区绵延十里，被誉为中国先进轨道交通装备研发和制造的“动力之都”。而丁荣军带领的中车株洲电力机车研究所正是坐落于此。2014年5月初，中国首条、世界第二条8英寸IGBT芯片生产线在中车株洲研究所投产，彼时也是丁荣军落户株洲、投身轨道交通机车“机芯”设计的第三十年。作为轨道交通“机芯”技术中最为先进、效能最为突出的高端产品，IGBT长期被发达国家垄断技术。丁荣军在接受采访时表示，他还记得第一次引进的时候，外国公司很明确地在技术转让文件上注明，传动和控制电驱动系统的IGBT技术不能转让。
“当时我看到这个很伤心，但反过来也激发了我们去努力。”
2017年，中车株洲的IGBT被用在行驶于京沪两地的复兴号上，中国高铁在这一年真正实现了自主国产化。然而纵观历史，中国对于IGBT的探索却远远不止于此，从变频家电领域到工业级领域，从车规级到轨交级，IGBT都紧随着中国前进的脚步向前迈去。只是相对于国外已经发展了近半个世纪的成熟技术，中国IGBT发展的道路显得艰难又曲折。20世纪70年代，美国正处于油价高涨与石油紧缺的供需矛盾之下，对社会、经济发展都造成了许多影响，这背后是巨大的油耗量。而造成油耗量巨大的原因是当时汽车、工业产品的电机效率低下。如果把电比作是血液，那么电机/电控就好比是电动汽车的心脏。而功率半导体就是其中电能转换和控制的核心，主要用于改变电压和频率。其实当时用于控制电机转速的MOSFET已经是比较好的功率器件了，它能够以可变频率向电机组输出功率；但是由于MOSFET只能应用于低压场景中，并不足以满足高电压下对输出电压的准确调节。1980年，美国通用电气的工程师Jayant Baliga发明了一种兼具MOSFET管和双极型晶体管（BJT）优点的复合型元器件——绝缘栅双极晶体管（IGBT），能够更好地控制感应电机的电源线频率，进而控制其转速使得功率降低，以减少油耗损失。
事实上IGBT的结构与MOSFET十分接近，只是在其背面增加了N+和P+层，“+”意味着更高的自由电子或者空穴密度。从而IGBT在保留MOSFET优点的同时，增加了载流能力和抗压能力。
现在，IGBT也被称为是电力电子行业里的“CPU”， 在照明、工业、消费、交通、医疗、可再生能源、电力传输等众多领域中获得了广泛的应用。IGBT既可以帮助空调、洗衣机实现较小的导通损耗和开关损耗，实现节能减排；又可以应用在急救除颤器上，使其从200V电源输出100KW的双向震动；还可以应用于太阳能、风能发电的逆变器里，将蓄电池的直流电逆变成交流电。
不过，尽管通用公司最先做出这个被誉为掌控电力世界的钥匙——IGBT，但是由于通用公司内部投资形势不太乐观；再加上Baliga发明了IGBT之后，西门子、三菱、富士等厂商立刻对这种器件产生了浓厚的兴趣，开始着力研发，与通用形成了激烈的竞争。最终在1988年，通用公司决定卖掉整个半导体业务，同时也放弃了这把“钥匙”。眼见通用退出比赛，德国西门子与日本三菱、富士一涌而上，瓜分剩余的市场份额。20世纪末期，全球IGBT芯片产业角逐激烈，德国和日本可以说是IGBT角斗场上最为重磅的两位玩家，而当时的中国仿佛被这一场竞争隔绝在外。1996年，西门子半导体事业部来无锡设立封测厂。1999年，西门子将半导体部门抛售，后改名为英飞凌，西门子无锡封测厂也随之更名为英飞凌科技（无锡）有限公司。短短四年时间，英飞凌的第六代IGBT承受工作电压水平从之前的4500V提高到6500V，全球市占率超过一半，占据绝对领先地位。
而此时，中国企业甚至连IGBT的蓝图都还没有构思。比亚迪还在全球镍镉电池的市场上纵横；中车株洲此时在为解决轨交电气系统研发而费尽心思；江湖上也还没有斯达半导的传说。那时没有人能想象，20年之后，IGBT的赛场上竟能出现中国企业的身影。
对于国内厂商来说，生产IGBT之难主要来自于两点：
从原理看，IGBT就是一个简单的电路，但是其属于电力电子芯片，IGBT的设计需保证开闭合损耗、抗短路能力和导通压降（控制热量）三者处于均衡状态，与参数调整优化十分特殊和复杂，并且IGBT对背面工艺和减薄工艺（对已完成功能的晶圆的背面基体材料进行磨削，去掉一定厚度的材料）技术的要求很高。制造层面，IGBT可以分为IDM模式（有晶圆厂）和Fabless模式（无晶圆厂）。通常情况下，国外的厂商发展历史较长、流动资金充足，往往会选择IDM模式，这种方式的优点在于产能、工艺都可控，而且能把核心技术掌握在自己手中。面对这些困局，比亚迪与中车株洲在当时同时选择了以收购开辟一条新道路。2008年，比亚迪董事长王传福宣布一则公告，直接把自己推上舆论的焦点：比亚迪以1.7亿元收购宁波中纬半导体公司。市场顿时引起一片哗然，彼时的比亚迪已经收购秦川汽车，靠着比亚迪F3成功打开了汽车市场，从电池制造商转型为全国第一汽车企业。而宁波中纬半导体则是宁波市政府白白投了30亿的失败项目。当时文章对于比亚迪的报道无一不是质疑与不解，“比亚迪至少亏20亿”、“王传福2亿杀入销金窟”等声音不绝于耳。
